Оперативная память

Сортировать:
На странице:
Оперативная память Team Elite 16GB DDR4 PC4-19200 [TED416G2400C1601]
alt
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-39, напряжение 1.2 В
44630 р.
Оперативная память Supermicro 8GB DDR4 PC4-17000 [MEM-DR480L-HL01-EU21]
alt
частота 2133 МГц, CL 15T, напряжение 1.2 В
25600 р.
Оперативная память Samsung 8GB DDR4 PC4-19200 [M378A1K43CB2-CRC]
alt
одноканальный (1 модуль), частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
22560 р.
Оперативная память Samsung 4GB DDR4 SODIMM PC4-19200 [M471A5244CB0-CRC]
alt
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
11920 р.
Оперативная память Samsung 4GB DDR4 PC4-19200 M378A5244BB0-CRC
alt
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
13370 р.
Оперативная память Samsung 32GB DDR4 PC4-19200 M393A4K40CB1-CRC
alt
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
80340 р.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 SO-DIMM PC4-17000 [M471A2K43BB1-CPB]
alt
частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В
44320 р.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-21300 [M393A2K43BB1-CTD]
alt
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
46910 р.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-21300 [M393A2G40EB2-CTD]
alt
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
46040 р.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-19200 M393A2K43BB1-CRC
alt
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В
52630 р.
Оперативная память Samsung 16GB DDR4 PC4-19200 M393A2G40EB1-CRC
alt
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
47160 р.
Оперативная память Patriot Signature Line 8GB DDR4 PC4-17000 [PSD48G213382]
alt
одноканальный (1 модуль), частота 2133 МГц, CL 15T, напряжение 1.2 В
23680 р.
Оперативная память Patriot Signature Line 8GB DDR3 PC3-12800 [PSD38G16002H]
alt
одноканальный (1 модуль), частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
19260 р.
Оперативная память Patriot Signature Line 4GB DDR4 SODIMM PC4-19200 [PSD44G240081S]
alt
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
12510 р.
Оперативная память Patriot Signature Line 4GB DDR4 PC4-19200 [PSD44G240082]
alt
одноканальный (1 модуль), частота 2400 МГц, CL 15T, напряжение 1.2 В
12780 р.
Оперативная память Patriot Signature Line 4GB DDR4 PC4-17000 [PSD44G213382]
alt
одноканальный (1 модуль), частота 2133 МГц, CL 15T, напряжение 1.2 В
12700 р.
Оперативная память Patriot Signature Line 4GB DDR3 SODIMM PC3-12800 [PSD34G160081S]
alt
одноканальный (1 модуль), частота 1600 МГц, CL 19T, напряжение 1.5 В
9540 р.
Оперативная память Patriot Signature Line 2x4GB DDR4 PC4-17000 [PSD48G2133K]
alt
двухканальный (2 модуля), частота 2133 МГц, CL 15T, напряжение 1.2 В
23280 р.
Оперативная память Patriot Signature Line 2GB DDR3 SODIMM PC3-12800 [PSD32G1600L2S]
alt
одноканальный (1 модуль), частота 1600 МГц, CL 17T, напряжение 1.35 В
4450 р.
Оперативная память Patriot Signature Line 16GB DDR4 PC4-19200 [PSD416G24002]
alt
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
46450 р.
Оперативная память Patriot Signature 8GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 (PSD38G16002S)
alt
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
20440 р.
Оперативная память Patriot Signature 8GB DDR3 PC3-12800 (PSD38G16002)
alt
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
19140 р.
Оперативная память Patriot Signature 4GB DDR3 PC3-12800 [PSD34G160081H]
alt
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В
10480 р.
Оперативная память Patriot Signature 2GB DDR3 SO-DIMM PC3-10600 (PSD32G133381S)
alt
частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В
4630 р.